Теоретически исследовано оптическое поглощение в квантовой яме из GaAs, обусловленное донор-акцепторными переходами. В приближении эффективной массы вариационным методом изучены волновые функции и энергетические уровни основных состояний донора и акцептора. Учтено уширение кривой поглощения, обусловленное усреднением по межпримесным расстояниям. Исследован характер зависимости коэффициента поглощения в зависимости от толщины квантовой ямы и от концентрации примесей. Изучено синее смещение в спектре поглощения и проведено сравнение с имеющимися экспериментальными данными.